協(xié)會動態(tài)
BCEIA 2025表界面分析暨第十一屆全國表面分析科學與技術(shù)研討會成功舉辦，共話表界面分析前沿技術(shù)與研究進展
2025年9月10-12日，由中國分析測試協(xié)會主辦的第二十一屆北京分析測試學術(shù)報告會暨展覽會（The 21st Beijing Conference & Exhibition on Instrumental Analysis，BCEIA 2025） 在北京·中國國際展覽中心（順義館）舉行。
9月11日，作為BCEIA 2025第16分會：表界面分析暨第十一屆全國表面分析科學與技術(shù)研討會成功召開，報告會為期1天。會議召集人為中國科學院化學研究所、北京國家質(zhì)譜中心主任汪福意研究員，清華大學分析中心、國家電子能譜中心副主任姚文清研究員，中山大學材料科學與工程學院陳建教授。
會議圍繞“表界面分析”這一核心主題，聚焦表面反應動力學與機理；能源與材料科學；生物與醫(yī)學界面；環(huán)境與可持續(xù)發(fā)展；表面分析技術(shù)標準化等熱點及研究方向。會儀通過集聚全國表界面分析領(lǐng)域的專家學者，交流經(jīng)驗、分享成果，進一步推動表界面分析技術(shù)與其他學科的融合，拓寬表面分析科學技術(shù)的應用前景。
會議邀請了中國科學院院士、清華大學分析中心主任李景虹教授，安徽大學劉雷教授（國家杰青）；廈門大學張洪良教授（國家高層次青年人才），天津工業(yè)大學趙麗霞教授（教育部國家級重大人才工程），南開大學張新星教授，北京大學周雄副研究員（基金委青A項目），中國科學院蘇州納米所納米真空互聯(lián)實驗站副主任崔義研究員，上海交通大學孫潔林教授，南開大學謝微教授，中國科學院化學研究所張燕燕副研究員等作精彩報告。上海科技大學葛青親博士、北京理工大學黃啟?鮒?理教授與勝科納米華佑南博士分別呈現(xiàn)了精彩的口頭學術(shù)報告。雪迪龍、島津、愛發(fā)科費恩斯、雷尼紹、布魯克等知名科學儀器廠商重磅亮相，集中演示了表界面儀器系統(tǒng)前沿技術(shù)，18位專家老師齊聚一堂，圍繞“表界面分析”這一核心主題，聚焦表面反應動力學與機理；能源與材料科學；生物與醫(yī)學界面；環(huán)境與可持續(xù)發(fā)展；表面分析技術(shù)標準化等熱點及研究方向。以下為部分精彩報告縮影。
主持人: 中國科學院化學研究所 汪福意
主持人: 清華大學 姚文清
主持人: 中山大學 陳建
報告題目：表面等離子體顯微成像
報告人：清華大學李景虹
本次報告重點探討了表面等離體共振技術(shù)在生物科學中的應用進展。李景虹老師指出，傳統(tǒng)熒光成像技術(shù)需要標記等問題，因此發(fā)展高信噪比的無標成像技術(shù)對原位細胞研究至關(guān)重要。表面等離體技術(shù)利用金屬表面電子共振，可檢測分子互作參數(shù)，已廣泛應用于藥物篩選與生物機制研究。近年來通過機制創(chuàng)新與儀器研發(fā)，其靈敏度和分辨率顯著提升，并可結(jié)合電化學方法原位監(jiān)測細胞反應與離子通路變化，為生命過程研究提供了有力工具。
報告題目：單原子尺度精準的半導體界面點缺陷的光譜表征
報告人：安徽大學劉雷
經(jīng)過十年技術(shù)攻關(guān)，劉雷老師的研究團隊成功開發(fā)出一種針對半導體及材料界面以下原子結(jié)構(gòu)進行單原子精度表征的新方法。該技術(shù)解決了困擾學界很久的難題――傳統(tǒng)表征手段無法實現(xiàn)表面以下缺陷結(jié)構(gòu)的精準識別與單原子分辨，極大阻礙了對半導體摻雜缺陷功能機制的深入理解。目前該技術(shù)已成功應用于半導體-金屬界面缺陷的精準測量，未來將朝室溫穩(wěn)定操作、自動化與AI化原子制造方向發(fā)展，并拓展至化學分子反應和界面過程等研究領(lǐng)域，為跨學科材料單原子解析與操控提供全新路徑。
報告題目：光電子能譜技術(shù)在寬禁帶氧化物半導體表界面研究的應用
報告人：廈門大學張洪良
報告聚焦于光電器件技術(shù)與應用的研究進展。重點介紹了紫外光電子探測、高遷移率金剛石外延生長等關(guān)鍵技術(shù)，特別強調(diào)了氮化鎵、氧化鋅等在射頻顯示領(lǐng)域的應用，以及氧化鎵在成本、穩(wěn)定性和尺寸方面的優(yōu)勢。他還指出，我國在寬禁帶半導體（如碳化硅）研發(fā)中取得顯著成果，并獲得國家層面支持。同時強調(diào)了外延薄膜技術(shù)對半導體制造的重要性，探討了光電能譜在氧化物半導體分析中的關(guān)鍵應用，強調(diào)能譜校準需審慎處理，束縛能變化與價態(tài)密切相關(guān)，并指出氧缺陷測試中應注意多因素干擾。
報告題目：GaN基半導體器件可靠性及失效分析研究
報告人：天津工業(yè)大學趙麗霞
報告聚焦于氮化鎵基半導體器件的可靠性研究及光電應用進展。系統(tǒng)介紹了氮化鎵材料的優(yōu)異特性，如帶隙寬、擊穿電壓高、電子飽和速度快，適用于高溫高壓及大功率場景，進一步探討了半導體器件的發(fā)光機制，包括晶體質(zhì)量提升、p型摻雜激活和應力調(diào)控等關(guān)鍵技術(shù)，以及外延生長中的晶格適配處理。此外，趙老師指出，氮化鎵基電力電子器件在動態(tài)電阻退化、界面可靠性等方面仍存在挑戰(zhàn)，可靠性水平較LED有較大差距，需進一步優(yōu)化。
報告題目：TOF-SIMS and its Application
北京雪迪龍科技股份有限公司&KORE TECHNOLOGY LIMITED Elizabeth Anne Roberts
報告介紹了其位于英國劍橋的團隊如何致力于搭建中英技術(shù)轉(zhuǎn)移的橋梁，特別是在時間飛行、加速度計、氣體監(jiān)測及電子沖擊等技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)與合作，并強調(diào)正通過北京實驗室推動相關(guān)技術(shù)在中國市場的推廣與應用。報告重點介紹了高靈敏度表面成像技術(shù)（SPS）的最新進展，該技術(shù)可實現(xiàn)硅片銅層等材料的精確表面分析與元素探測，在環(huán)境科學等多領(lǐng)域具重要應用價值。相比同類方案，SPS具備更高靈敏度，目前已在48個國家獲得推廣應用。
報告題目：Investigation of Microdroplet Chemistry with Mass Spectrometry
報告人：南開大學張新星
張老師報告中提出電噴物質(zhì)譜中許多難以解釋的現(xiàn)象可能可以通過的理論解釋。報告指出華中科技大學有機化學課題組在合成銅催化劑時,發(fā)現(xiàn)質(zhì)譜表征的價數(shù)與實驗結(jié)果不符,經(jīng)過討論發(fā)現(xiàn)是二價銅被還原成了一價銅。張老師認為這個發(fā)現(xiàn)雖然顛覆性,但并不會改變電噴霧質(zhì)譜界的基本原理。他還提到,對于特定問題,應具體分析,用電噴霧的目的只是檢測物質(zhì)是否存在,而非深入研究。
報告題目：X射線光電子能譜技術(shù)及應用
報告人：島津企業(yè)管理（中國）有限公司王文龍
報告重點探討了XPS表面分析技術(shù)的應用與深度信息獲取方法。由于XPS檢測深度有限，針對不均勻或淺層樣品可采用角分辨、成像、深度剖析及離子散射譜（ISS）等手段增強表層信息分辨能力。通過調(diào)整探測角度可改變采樣深度，結(jié)合元素化學態(tài)成像和離子濺射，能夠解析材料縱向成分分布與界面結(jié)構(gòu)，例如識別電池中單質(zhì)硅的深度位置及鋰的界面富集。此外，報告還介紹了使用多種靶材和傳送模式以保護樣品并替代同步輻射光源，實現(xiàn)更高效、多深度的表面成分分析。
報告題目：Frontier Progress in Surface Analysis Techniques and Explorations of Interdisciplinary Collaborative Applications
報告人：愛發(fā)科費恩斯（南京）儀器有限公司馮林
報告重點介紹了表面分析技術(shù)的最新進展與應用。她概述了公司XPS、AES、SIMS等核心產(chǎn)品線，并深入解析了表面分析技術(shù)的特點及優(yōu)勢，強調(diào)通過調(diào)節(jié)入射光能量可實現(xiàn)無損深度分析。報告討論了超高真空設(shè)備的使用，包括設(shè)備實現(xiàn)真空互聯(lián)的技術(shù)，并說明了各種分析手段的應用情況和特點。
報告題目：Renishaw's latest Raman spectroscopy technology developments and applications
報告人：雷尼紹（上海）貿(mào)易有限公司于鷹暢
報告重點介紹了雷尼紹在拉曼成像及聯(lián)用技術(shù)上的最新進展。針對科研中對快速、高分辨及原位化學成像的需求，雷尼紹開發(fā)了多種快速成像技術(shù)，如StreamHR高分辨成像、Volume 3D成像等，并推出了專利的LiveTrack實時自動追焦功能，可在樣品不平整情況下實現(xiàn)高質(zhì)量三維成像而不增加采集時間。此外，全新SEM-拉曼聯(lián)用技術(shù)實現(xiàn)了真正共定位分析，兼顧形貌與化學信息。還推出了高性能、便攜式光纖拉曼系統(tǒng)Virsa，適用于大尺寸、不可移動樣品的原位檢測，拓展了拉曼技術(shù)在考古、新能源及臨床等現(xiàn)場應用的可能。
嘉賓合影
關(guān)于BCEIA2025
第二十一屆北京分析測試學術(shù)報告會暨展覽會（The 21st Beijing Conference & Exhibition on Instrumental Analysis，BCEIA 2025）將于2025年9月10-12日(學術(shù)報告會9日報到、13日離會) 在北京·中國國際展覽中心（順義館）召開。2025年適逢BCEIA四十周年，會議將繼續(xù)秉承“分析科學 創(chuàng)造未來”的理念，圍繞“輝煌四十載 再譜新篇章”的主題開展學術(shù)交流、論壇和儀器展覽。
